Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts – ALD (Atomic Layer Deposition)

Nous avons conçu un système de dépôt ALD, il a la particularité de permettre l’utilisation de gaz isotopiquement marqués avec une faible consommation des précurseurs et de ne chauffer que le substrat où ont lieu les réactions chimiques inhérentes à la croissance. Cela permet une étude plus précise des mécanismes de croissance des couches.

LégendeBâti d’ALD maison.

 

Depuis juin 2020, nous avons acquis une machine commerciale pour compléter notre équipement. Celle-ci permet de faire dépôts à plus haute température (jusqu’à 325°C, contre 270°C) et de produire des films très homogènes sur une surface d’un substrat allant jusqu’à 4 pouces de diamètre.

Légende : Bâti commercial ANRIC AT-410.

 

Contact

Jean-Jacques Ganem : Jean-Jacques.Ganem(at)insp.jussieu.fr