Equation d’état et distribution de défauts de densité lors de la formation d’un quasi-condensat d’excitons
Les excitons dipolaires dans l’arséniure de gallium (GaAs) constituent un système modèle pour étudier les états collectifs dans un semiconducteur à 2 dimensions. En effet, ces excitons à fort moment dipolaire possèdent de très longs temps de vie, ce qui leur permet de se thermaliser à très basse température. Un gaz d’excitons dipolaires peut alors réaliser un quasi-condensat bidimensionel (état macroscopiquement cohérent). A l’INSP, une série d’expériences, en collaboration avec le C2N et l’université de Grenoble, a été conduite afin de quantifier thermodynamiquement la quasi-condensation des excitons dipolaires confinés dans un piège électrostatique, tout comme la topologie de cette transition de phase. Ces travaux marquent une étape encourageante en vue d’une démonstration de la théorie de Berezinskii-Kosterlitz-Thouless avec un gaz d’excitons dipolaires.
Référence
Defect Proliferation at the Quasicondensate Crossover of Two-Dimensional Dipolar Excitons Trapped in Coupled GaAs Quantum Wells
Suzanne Dang, Romain Anankine, Carmen Gomez, Aristide Lemaître, Markus Holzmann, François Dubin
Phys. Rev. Lett. 122, 117402 – Published 22 March 2019 DOI : 10.1103/PhysRevLett.122.117402
