Vue générale de la plateforme d’élaboration par épitaxie par jets moléculaires - © INSP - Cécile Duflot
L’équipe de la plateforme MBE propose ses compétences et son expertise dans l’élaboration de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructrures épitaxiales dans le cadre de projets scientifiques.
- Croissance et propriétés structurales et électroniques de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructures.
- Croissance d’échantillons en épitaxie à l’état de l’art dans le cadre de projets scientifiques (semi-conducteurs III-V, lamellaires à base de Se, composés à base de Fe).
- Croissance par MBE (molecular beam epitaxy, épitaxie par jets moléculaires) : MBE III-V, MBE lamellaires Se, MBE Fe.
Ces outils d’élaboration sont couplés à des techniques d’étude in situ (RHEED, STM) qui permettent l’obtention d’échantillons de très bonne qualité structurale. L’ensemble du dispositif est sous ultravide.
Ouvert aux établissements privés ou publics / Devis sur demande.
Contact
- Paola Atkinson : paola.atkinson(at)insp.jussieu.fr – 01 44 27 98 09
