Croissance et propriétés de systèmes hybrides en couches minces – Croissance par épitaxie par jets moléculaires – MBE

 

  • Vue générale de la plateforme d’élaboration par épitaxie par jets moléculaires - © INSP - Cécile Duflot

L’équipe de la plateforme MBE propose ses compétences et son expertise dans l’élaboration de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructrures épitaxiales dans le cadre de projets scientifiques. 

  • Croissance et propriétés structurales et électroniques de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructures.
  • Croissance d’échantillons en épitaxie à l’état de l’art dans le cadre de projets scientifiques (semi-conducteurs III-V, lamellaires à base de Se, composés à base de Fe).
  • Croissance par MBE (molecular beam epitaxy, épitaxie par jets moléculaires) : MBE III-V, MBE lamellaires Se, MBE Fe.

Ces outils d’élaboration sont couplés à des techniques d’étude in situ (RHEED, STM) qui permettent l’obtention d’échantillons de très bonne qualité structurale. L’ensemble du dispositif est sous ultravide.

Ouvert aux établissements privés ou publics / Devis sur demande.

 

Contact

  • Paola Atkinson : paola.atkinson(at)insp.jussieu.fr – 01 44 27 98 09